导读：很多朋友不知道高电容密度硅基MIS芯片电容的原理及指标，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答高电容密度硅基MIS芯片电容的原理及指标
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高电容密度硅基MIS芯片电容③
电容 器 的性 能 很 大 程 度 _j 取 决 于 介 质 层 的 质量 ，尤其 对 于 3D-M IS 电容 来说 ，刻 蚀 后孔 的 深 宽 比很 高 ，孔 内 介 质 均 匀 淀 积 的 难 度 很 大 。实 验 采 用0 N () 复 合 介 质层 ，第 一 层 s i() 采 用 热 氧生 长．第二层 Si。 N 与第 三 层 Si( )! 均 采 用 低 压 化 学 气 相 沉积( L ow p ress ure ch em ic al vapo r depo sitio n ，
L PC V D ) 生 长 。采用 这 种 O N( ) 复 合介 质 层 既 可 以保 证 介 质 层 与 孔 侧 壁 的 良 好 粘 附 性 ，另 外 由 于Si。N 的 引 入可 以 有 效 提 高 介 质 层 的 介 电 常 数 ，有助 于进 一步 提 高 电容密 度 。 图 4 足这 种 复合介 质层的 SE M 图 ，可 以 看 出 介 质 层 的 覆 盖 均 匀 性 良好 。介 质层 淀 积后 还需 进 行 孔 内 导 电 物 的填 充 ，一 方 面达 到表 面平 坦 化 的 目 的 ，利 于后续 电极 的制备 ，另一方面 使导 电物 与深孑L内部 的介 电层充 分接 触达 到 电容有 效 面积 的 化 。 实验 采用 掺杂 多 晶硅进 行孔内填 充 ，因 为 掺 杂 多 晶 硅 相 比金 属 其 热 膨 胀 系 数 与硅更 为 接 近 ，可 以有效 避 免 在 高 温 下 由 于 热 失 配造成 的硅柱 变形 甚至 断裂 。 如 图 5(a ) 所 示 ，当 生 长温度较 高时 ( 620℃ ) ，多 晶硅在 深孔 上部 生 长速率 高 于底 部 ，容 易形成 不 完全 填 充 从 而 局 部 会 出 现 一些 空洞或 者缝 隙 。 如 图 5( 1 ) 所示 ，当 将 生 长温 度 降 低 至580℃时 ，深 孔 上 部 的沉 积 速 度得 到 了 有 效 抑制 ，从而实 现 了 深孔 内 部 的无 空洞 填充 以及 表面 平坦 化 。
推荐产品一、丽芯微电10000pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
型号：C12-90-25V-103
容值/容差：10000pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
推荐产品二、丽芯微电1000pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
型号：C12-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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